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portada Analisi termodinamica dei processi di crescita degli strati epitassiali (en Italiano)
Formato
Libro Físico
Idioma
Italiano
N° páginas
60
Encuadernación
Tapa Blanda
Dimensiones
22.9 x 15.2 x 0.4 cm
Peso
0.10 kg.
ISBN13
9786202588980
Categorías

Analisi termodinamica dei processi di crescita degli strati epitassiali (en Italiano)

Rahman Bakhyshov (Autor) · Edizioni Sapienza · Tapa Blanda

Analisi termodinamica dei processi di crescita degli strati epitassiali (en Italiano) - Bakhyshov, Rahman

Libro Nuevo

$ 64.791

$ 80.989

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  • Estado: Nuevo
Origen: Estados Unidos (Costos de importación incluídos en el precio)
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Reseña del libro "Analisi termodinamica dei processi di crescita degli strati epitassiali (en Italiano)"

Il presente lavoro è dedicato all'analisi termodinamica dei processi fisico-chimici di crescita degli strati epitassiali del composto semiconduttore Ga2Se3 dalla fase gassosa nel sistema di flusso Ga - Se - Cl - H e alla modellazione dei processi tecnologici per la previsione di possibili varianti tecnologiche e la determinazione delle condizioni ottimali per la sintesi di questo composto. Sono riportati i risultati delle ricerche sulla definizione e sul calcolo dei parametri termodinamici delle singole sostanze del sistema Ga - Se - Cl - H, per il loro utilizzo nella modellazione termodinamica dei processi di crescita degli strati epitassiali di Ga2Se3 da una fase gassosa. Viene studiata la connessione tra variabili termodinamiche e parametri tecnologici del processo di sintesi del Ga2Se3 in reattore di tipo aperto con sorgenti separate di gallio e selenio. Viene illustrato lo schema di calcolo dei parametri tecnologici del processo di crescita degli strati epitassiali crescenti di Ga2Se3 nel sistema di trasporto dei gas di flusso con sorgenti separate di gallio e selenio.

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