Compartir
Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals (en Inglés)
Oleg Velichko
(Autor)
·
World Scientific Publishing Europe Ltd
· Tapa Dura
Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals (en Inglés) - Velichko, Oleg
$ 238.469
$ 298.087
Ahorras: $ 59.617
Elige la lista en la que quieres agregar tu producto o crea una nueva lista
✓ Producto agregado correctamente a la lista de deseos.
Ir a Mis Listas
Origen: Estados Unidos
(Costos de importación incluídos en el precio)
Se enviará desde nuestra bodega entre el
Viernes 19 de Julio y el
Martes 30 de Julio.
Lo recibirás en cualquier lugar de Argentina entre 1 y 3 días hábiles luego del envío.
Reseña del libro "Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals (en Inglés)"
This work presents a comprehensive theory describing atomic diffusion in silicon crystals under strong nonequilibrium conditions caused by ion implantation and interaction with the surface or other interfaces. A set of generalized equations that describe diffusion of impurity atoms and point defects are presented in a form suitable for solving numerically. Based on this theory, partial diffusion models are constructed, and the simulation of many doping processes used in microelectronics is carried out.Coupled Diffusion of Impurity Atoms and Point Defects in Silicon Crystals is a useful text for researchers, engineers, and advanced students in semiconductor physics, microelectronics, and nanoelectronics. It helps readers acquire a deep understanding of the physics of diffusion and demonstrates the practical application of the theoretical ideas formulated to find cheaper solutions in the course of manufacturing semiconductor devices and integrated microcircuits.
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
Todos los libros de nuestro catálogo son Originales.
El libro está escrito en Inglés.
La encuadernación de esta edición es Tapa Dura.
✓ Producto agregado correctamente al carro, Ir a Pagar.
