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portada Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (en Alemán)
Formato
Libro Físico
Idioma
Alemán
N° páginas
56
Encuadernación
Tapa Blanda
Dimensiones
22.9 x 15.2 x 0.3 cm
Peso
0.10 kg.
ISBN13
9786206534457
Categorías

Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (en Alemán)

Radhika Ikkurti (Autor) · Verlag Unser Wissen · Tapa Blanda

Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (en Alemán) - Ikkurti, Radhika

Libro Nuevo

$ 86.939

$ 108.674

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  • Estado: Nuevo
Origen: Estados Unidos (Costos de importación incluídos en el precio)
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Lo recibirás en cualquier lugar de Argentina entre 1 y 3 días hábiles luego del envío.

Reseña del libro "Energielücke einer Halbleiterdiode - Experiment (en Alemán)"

Es gibt eine kurze Zusammenfassung darüber, wie Energielücken gefunden werden und welche Anwendungen sie haben. Die Elektronendichte ist viel grö er als die Lochdichte im Halbleiter vom n-Typ, dargestellt als ne nh, während die Lochdichte im Halbleiter vom p-Typ viel grö er ist grö er als die Elektronendichte: nh ne.In einem Halbleiter vom n-Typ liegt das Donatorenergieniveau nahe am Leitungsband und entfernt vom Valenzband. Im p-Typ-Halbleiter hingegen liegt das Energieniveau des Akzeptors nahe am Valenzband und vom Leitungsband entfernt.Die im p-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung sorgt für zusätzliche Löcher, die als Akzeptoratome bekannt sind, während die im n-Typ-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung zusätzliche Elektronen liefert, die als Donoratome bezeichnet werden.Das Fermi-Niveau des n-Typ-Halbleiters liegt zwischen dem Donor-Energieniveau und dem Leitungsband, während das des p-Typ-Halbleiters zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und dem Valenzband liegt.Im p-Typ-Halbleiter bewegen sich die Mehrheitsträger vom höheren zum niedrigeren Potenzial, im Gegensatz zum n-Typ, wo sich die Mehrheitsträger vom niedrigeren zum höheren Potenzial bewegen.

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El libro está escrito en Alemán.
La encuadernación de esta edición es Tapa Blanda.

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