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Gap energetico di un diodo semiconduttore - Esperimento (en Italiano)
Radhika Ikkurti
(Autor)
·
Edizioni Sapienza
· Tapa Blanda
Gap energetico di un diodo semiconduttore - Esperimento (en Italiano) - Ikkurti, Radhika
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Reseña del libro "Gap energetico di un diodo semiconduttore - Esperimento (en Italiano)"
Fornisce un breve riepilogo su come si trova il gap energetico e le loro applicazioni. La densità elettronica è molto maggiore della densità delle lacune nel semiconduttore di tipo n rappresentato come ne nh mentre, nel semiconduttore di tipo p, la densità delle lacune è molto maggiore della densità elettronica: nh ne.In un semiconduttore di tipo n, il livello di energia del donatore è vicino alla banda di conduzione e lontano dalla banda di valenza. Mentre nel semiconduttore di tipo p, il livello di energia dell'accettore è vicino alla banda di valenza e lontano dalla banda di conduzione.L'impurità aggiunta nel semiconduttore di tipo p fornisce fori extra noti come atomi accettori, mentre nell'impurezza del semiconduttore di tipo n fornisce elettroni extra chiamati atomi donatori.Il livello di Fermi del semiconduttore di tipo n si trova tra il livello di energia del donatore e la banda di conduzione mentre quello del semiconduttore di tipo p si trova tra il livello di energia dell'accettore e la banda di valenza.Nel semiconduttore di tipo p, i portatori maggioritari si spostano dal potenziale più alto a quello più basso, in contrasto con il tipo n in cui i portatori maggioritari si spostano dal potenziale inferiore a quello più alto.
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El libro está escrito en Italiano.
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