Compartir
Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization, Second Edition (en Inglés)
John E. Ayers; Tedi Kujofsa; Paul Rago; Johanna Raphael (Autor)
·
Crc Press
· Tapa Blanda
Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization, Second Edition (en Inglés) - John E. Ayers; Tedi Kujofsa; Paul Rago; Johanna Raphael
$ 141.167
$ 176.458
Ahorras: $ 35.292
Elige la lista en la que quieres agregar tu producto o crea una nueva lista
✓ Producto agregado correctamente a la lista de deseos.
Ir a Mis Listas
Origen: Estados Unidos
(Costos de importación incluídos en el precio)
Se enviará desde nuestra bodega entre el
Viernes 09 de Agosto y el
Miércoles 21 de Agosto.
Lo recibirás en cualquier lugar de Argentina entre 1 y 3 días hábiles luego del envío.
Reseña del libro "Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization, Second Edition (en Inglés)"
In the past ten years, heteroepitaxy has continued to increase in importance with the explosive growth of the electronics industry and the development of a myriad of heteroepitaxial devices for solid state lighting, green energy, displays, communications, and digital computing. Our ever-growing understanding of the basic physics and chemistry underlying heteroepitaxy, especially lattice relaxation and dislocation dynamic, has enabled an ever-increasing emphasis on metamorphic devices. To reflect this focus, two all-new chapters have been included in this new edition. One chapter addresses metamorphic buffer layers, and the other covers metamorphic devices. The remaining seven chapters have been revised extensively with new material on crystal symmetry and relationships, III-nitride materials, lattice relaxation physics and models, in-situ characterization, and reciprocal space maps.
